什么是现成的600V氮化镓场效应晶体管？它有什么作用？德州仪器（TI）最近宣布推出新的即用型600V氮化镓（GaN），50mΩ和70mΩ功率级产品，可支持高达10kW组合的应用。与AC / DC电源，机器人，可再生能源，电网基础设施，电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管（FET）相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小，更高效和更高性能的设计。德州仪器（TI） GaN FET器件系列产品集成了独特的功能和保护功能，以实现简化的设计，实现更高的系统可靠性并优化高压电源的性能，从而为传统的级联和独立的GaN FET程序提供智能的替代解决方案。通过集成的＆lt; 100ns电流限制和过热检测，该设备可以防止意外的直通事件并防止热失控，并且系统接口信号可以实现自我监控功能。 LMG3410R050，LMG3410R070和LMG3411R070的主要特征和优点是更小，更有效的解决方案：与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，Texas Instruments＆＃39;集成的GaN功率级可以使功率密度增加一倍，并降低80％的损耗。每个器件具有1MHz的快速开关频率和高达100V / ns的压摆率。系统可靠性：该产品组合已通过了2000万小时的设备可靠性测试，包括加速和应用程序内硬切换测试。此外，每个器件都提供集成的散热和100ns高速高速过流保护，以防止击穿和短路情况。每个功率级别的设备：在50mΩ或70mΩ的条件下，该产品组合中的每个设备都提供GaN FET，驱动器和保护功能，可以为100W至10kW以下的应用提供单芯片解决方案。在德国慕尼黑的electronica上访问德州仪器（TI）。德州仪器（TI）将在慕尼黑电子展（2018年11月13日至16日）C4展厅的131号展台上展示10kW云电网链接演示。德州仪器（TI）和西门子（Siemens）共同开发的主动演示使用了德州仪器（TI）的LMG3410R050 600V GaN FET，该晶体管具有集成的驱动器和保护功能。与传统的硅设计相比，它可以帮助工程师实现99％的效率，并减少30％的功率组件尺寸。 。以上是对现成可用的600V GaN场效应晶体管的分析，希望对大家有所帮助。