什么是60V TrenchFET＆reg; N沟道功率MOSFET？它有什么作用？ 2019年2月21日-最近，Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）宣布推出新的6.15毫米x 5.15毫米PowerPAK＆reg;。 SO-8电池封装的60 V TrenchFET＆reg;第四代n沟道功率MOSFET --- SiR626DP。 Vishay Siliconix SiR626DP特别用于提高电源转换拓扑的效率，导通电阻比上一代设备低36％，栅极电荷和输出电荷达到同类产品的最低水平。几天前发布的器件在10 V电压下的最大导通电阻为1.7 m，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，MOSFET的栅极电荷和导通电阻乘积以及输出电荷和导通电阻乘积品质因数（FOM）分别比上一代器件低32％和45％。 MOSFET的COSS降低了69％。 SiR626DP改进了其技术规格，并进行了调整，以最大程度地减少传导和开关损耗。该设备提高了AC / DC拓扑同步整流，隔离式DC / DC拓扑初级和次级开关效率，适用于太阳能微逆变器和通信，服务器，医疗设备电源，电动工具和工业设备的电机驱动控制，电池的开关电池管理模块。 MOSFET经过100％RG和UIS测试，符合RoHS要求且无卤素。 SiR626DP现在可以提供样品，并已实现批量生产。产品交货时间为30周，具体取决于市场状况。以上是对60V TrenchFET的分析。 N沟道功率MOSFET，希望对大家有所帮助。