1.耗尽型MOSFET的结构耗尽型MOSFET的输出特性和传输特性与JFET相似，但结构完全不同。 n沟道耗尽型MOSFET的基本结构如下图所示：6-3.01基板（基板）由整块p型材料组成，可以通过金属端子（SS图中的杆）。漏极和源极都是n型材料，它们也通过金属端子引出。在源极和栅极之间存在由n型材料制成的狭窄沟道，并且漏极和源极之间的传导主要通过该n沟道进行。最特别的是大门。栅极的金属端子和整个MOSFET被一薄层二氧化硅隔开。二氧化硅是绝缘体，在此称为电介质。由于二氧化硅是完全绝缘体，因此栅极与整个MOSFET之间没有电接触，因此MOSFET具有非常高的输入阻抗（比JFET高几个数量级）。 MOS的三个字母中的M表示栅极的金属端子（金属），O表示二氧化硅绝缘层（氧化物），S表示由p衬底和n材料组成的半导体（半导体）。由于栅极和管体之间完全绝缘，因此MOSFET也称为：isulated-gateFET（isulated-gateFET），缩写为：IGFET。在上图中，漏极，栅极，源极和衬底都通过金属端子引出。因此，严格来说，MOSFET是四端器件。然而，在实际的应用电路中，基板SS经常连接到源。由于连接了电极S，所以为了降低成本和方便使用，制造商经常在内部将衬底SS连接到源极S，从而使MOSFET成为三端器件。此时，D和S不再对称，因此无法反转和使用。 2.特性曲线和符号（1）工作状态分析耗尽型MOSFET的输出特性曲线和传输特性曲线与JFET非常相似。让我们看一下耗尽型MOSFET的工作机制。当栅极和源极连接时当短路使VGS = 0时，电路如下图所示：图6-3.02当向漏极施加正电压VDD时，n通道的行为与普通晶体管相同。电阻，漏极电流ID随着VDD的增加而增加。大而增加。但是，当VDD继续增加时（类似于JFET中电流增加的情况），耗尽MOSFET中n沟道中每个点的电位也会增加。这种增加的电势将导致n沟道与p衬底之间的间隙。反向偏置PN结（耗尽区）的宽度增加，这反过来又使n沟道的导电面积变窄，类似于夹断在JFET中，最终将使电流达到动态饱和平衡的IDSS。此时，耗尽型MOSFET的输出特性曲线类似于JFET的输出特性曲线，如下图所示：图6-3.03当VGS设置为负电压时，电路布线如图所示如下图：图6-3.04这时的栅极电压为负，这将导致n沟道中的载流子（电子）被推向p衬底，并且当电子进入p衬底时，一部分电子将与p衬底中的孔重新结合，形成n沟道。沟道中载流子的总数减少，这反过来又降低了n沟道的电导率。栅极电压越负，越有更多电子被推到p衬底，n沟道的导电性越差。当栅极-源极负电压达到某个阈值时，n沟道中的载流子被完全排空并耗尽，此时整个n沟道不再导电。最后，与JFET稍有不同，n沟道耗尽MOSFET使栅极电压为正。当栅极电压为正时，栅极电场会将p衬底（少数载流子）中的一部分电子吸引到n沟道中，从而使n沟道的电导率变大（比较JFET：n沟道） JFET不允许栅极电压为正）。下图显示了n沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线和传输特性曲线：在上图中可以看到图6-3.05，将耗尽型MOSFET的曲线与JFET的曲线进行比较，从而使VGS＆gt;存在0时，当VGS = 0时，电流将超过饱和值IDSS。我们称这个区域为：增强区域；相应地，VP《 VGS》 0的区域可以称为：耗尽区（Depletionregion）。 （2）P-chan