一言以蔽之的电源知识：从降压-升压到反激

电源有许多拓扑，但实际上，我们可以了解一种拓扑，也可以了解其他拓扑。因为组成各种拓扑的基本元素是相同的。
用于隔离电源。每个人都接触最多的电路拓扑应该是反激式的。
但是，当您刚开始制造电源时，您根本不知道如何设计，甚至都不了解分析。您唯一可以做的就是模仿（嗯，这是丑陋的窃）。
这种状态持续了一段时间后，我开始慢慢获得一些了解。但是对于新手来说，如果我们可以从基本的拓扑结构BUCK和BOOST演变为更复杂的拓扑结构，那么对我们来说，完全理解各种拓扑结构将非常容易。
实际上，要了解隔离电源，与非隔离DCDC相比，还需要一个更基本的元件-变压器。然后，许多基本原理也可以通过基本拓扑来演化。
本文是对演化过程的分析。为了分析反激电路，让我们从反激源开始。
反激是从三个基本电路的升降压中发展而来的。因此，降压-升压分析绝对可以帮助反激分析，并且降压-升压似乎比反激更简单，至少没有变压器。
接下来，我们将开始发展降压-升压，最终将演变成反激式。降压-升压电路-降压或升压斩波器，输出电压U0大于或小于输入电压Ui，并且极性相反。
图1是降压-升压的原型电路。如图2所示，将电感器L缠绕在一个并联线圈上，如图2所示：断开L的两个并联线圈，并将匝数更改为1：n，如图3所示：沿线3放置图3中的二极管。
回路移向阴极，阴极朝外，输出电压V和接地位置改变。 （二极管的功能是单向传导，电路中没有其他支路电流。
在环路的两个位置，效果是等效的。）（降压升压实现背压，但我们的隔离式电源不需要背压图4：将图4中的Q沿环路移动到变压器的底部，如图5所示：（开关的位置实际上可以在任何位置，但是我们不希望MOS导通。
条件Vgs不应太高。）更改变压器的绕组方向以形成反激。
如上所述，我们研究降压-升压的行为，这对反激行为的研究有很大帮助。因为两个电路的工作过程非常相似。
仅在降压/升压拓扑中，只有一个电感用于存储能量，而在反激电路中，它是一个变压器。当初级侧的电路突然断开时，初级侧的电磁能会将能量转移到次级侧。
对于降压-升压拓扑：第一个工作状态：MOSFET Q接通，而二极管D关断。如图8所示：此时，输入电源正在为电感器充电。
最初由电容器充电的能量为负载供电，并保持其原始电压。第二种工作状态：Mosfet Q截止，二极管D导通。
如图9所示：此时，电感器将保持原始电流。让我们看一下反激的工作过程：假设反激电路仍在稳定的CCM状态下工作。
在状态1中，MOSFET Q导通，二极管D截止。该电路如图所示。
类似于我们刚刚提到的BuckBoost状态，此时电感已充电，而电容器则保持负载电流。在反激状态2中，MOSFET Q截止，二极管D导通。
这时，变压器的次级侧为负载和电容器充电。我们只是讨论了CCM情况。
还有另一种反激情况，DCM。在DCM中，反激式的工作状态比在CCM中多。
3.工作状态1和工作状态2与CCM工作状态1和2相同。在工作状态3中，Mosfet Q和二极管D均处于关断状态。
三种工作状态经过时间分别为d1Ts，d2Ts，d3Ts。本文的直接出处：硬件100,000为什么免责声明：本文的内容经21ic授权后发布，版权归原始作者所有。
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