金刚石单晶的重大突破：从根本上改变金刚石的能带结构

哈尔滨工业大学韩继才院士团队与香港城市大学，麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得了重大科研突破。研究结果已经在线发表在国际知名的学术期刊“ Science”上。
标题为“微纳米金刚石单晶的超大均匀拉伸弹性”。根据多家媒体的报道，这项研究是首次使用新的纳米力学方法通过超均匀的弹性应变调节从根本上改变金刚石的能带结构，为实现下一代基于金刚石的微电子学提供了新的方法。
筹码。 ，为弹性应变工程和单晶金刚石装置的应用提供基础和破坏性解决方案。
IT Home获悉，主要使用硅（Si）和锗（Ge）的第一代半导体材料已经使用了70多年。但是，硅本身具有物理缺陷，因此会导致其在高频功率设备中使用。
应用不良。此后，人类开始研究以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料，但是由于毒性和价格等因素，它们的适用性仍然有很大的局限性。
21世纪初，金刚石，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等具有超宽带隙特性的第三代半导体材料开始进入人们的视野。其中，钻石因其自身的特性而备受关注。
甚至业界都称其为“最终半导体材料”。但是，金刚石片仍然有很大的局限性。
实际上，人类将金刚石用于芯片的尝试在历史上与石墨烯相似。从理论上讲，钻石在力学，科学和电导率方面具有极高的价值。
金刚石芯片比硅芯片更坚固，更耐用，即使在高温下也可以保持其半导体性能。但是，到目前为止，在几乎所有实验中，钻石晶体始终保持其独立性，并且无法对电流产生有效影响。
因此，目前几乎不可能应用于电子工业。