电源mosfet

功率MOSFET可以分为两类：P沟道和N沟道：中间箭头是向内N通道，箭头是P通道。它有三个极点：漏极（D）。
源（S）和门（G）。一些功率MOS-FET内部具有连接在漏极和源极之间的二极管或肖特基二极管，这可以防止在连接感性负载时背电位损坏MOSFET。
这两种类型的MOSFET以相同的方式工作，只有电源电压控制电压的极性反转。截止：在漏极和源极之间施加正电源，栅极和源极之间的电压为零。
在P基极区和N漂移区之间形成的PN结J 1被反向偏置，并且在漏极和源极之间没有电流流动。导电：在栅极和源极之间施加正电压U GS，栅极绝缘，因此没有栅极电流流动。
然而，栅极的正电压推动其下方的P区域中的空穴，并且P区域中的少数电子被吸引到栅极下方的P区域的表面。当U GS大于UT（导通电压或阈值电压）当栅极下方P区表面上的电子浓度超过空穴浓度时，P型半导体反转为N型并变为反转层。
反型层形成N沟道，PN结J 1消失。并且源是导电的。
1. Mosfet是一种电压控制器件，因此在驱动大电流时无需推动平台。电路更简单2.输入阻抗高，可达108Ω以上3.工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗为小，并且有一个更好的线性区域。
而mosfet的输入电容远小于双极性输入电容的输入电容，因此其交流输入阻抗非常高，噪声小。它最适合制作Hi-Fi音频。
5.功率mosfet可以并联使用以增加输出电流。无需电流共享电阻。
功率MOSFET是增强型MOSFET，具有出色的开关特性。近年来，功率MOSFET已广泛用于电源，计算机和外围设备（软，硬盘驱动器，打印机，扫描仪等），消费电子产品，通信设备，汽车电子和工业控制。
功率MOSFET是一种电压型驱动器件，它没有少数载流子的存储效应，输入阻抗高，因此开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。然而，功率MOSFET的电极间电容很大，输入电容CISS，输出电容COSS和反馈电容CRSS之间的关系以及极间电容可以表示如下：功率MOSFET的栅极输入是相当于电容网络，其运行速度与驱动源的内部阻抗有关。
由于存在CISS，静态栅极驱动电流几乎为零，但在开启和关闭的动态过程中，仍然需要一定的驱动电流。假设开关晶体管的饱和切换所需的栅极电压值是VGS，则开关晶体管的导通时间TON包括导通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
在关闭期间，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）缓慢上升，VDS（T）缓慢上升，随VDS（T COSS的上升迅速降至接近零，并且VDS（T）迅速上升。根据以上对功率MOSFET特性的分析，驱动器通常要求触发脉冲足够快。
上升和下降速度; 2电阻低电阻强制栅极电容导通，低电阻关断时栅极放电回路以提高功率MOSFET的开关速度; 3触发脉冲电压可靠地触发功率MOSFET应高于管的开启电压，以防止误导，负栅极 - 源极电压应该在关闭时提供; 4电源开关切换所需的驱动电流是栅极电容器的充放电电流，功率管之间的电容更高。大，所需电流越大，更大的负载能力。