磁三极管

磁敏三极管，也称为磁敏晶体管或磁三极管，是20世纪70年代开发的一种新型半导体磁电转换器件。它主要用于磁检测，非接触式开关和接近开关。
图：锗NPN型和硅PNP型磁敏晶体管由高阻半导体制成。在锗磁敏晶体管的发射极e侧喷砂会损坏晶格层，并且设置具有大载流子复合率的高复合区域r，并且在硅磁极中不提供高复合区域。
敏感晶体管。锗磁敏晶体管具有条状结构，集电极区和发射极区分别设置在条带的两侧，基极b设置在另一侧。
硅磁敏晶体管具有平面结构，并且发射极区，集电极区和基极都设置在硅晶片的表面上。磁敏晶体管的主要特征之一是基极宽度W大于载流扩散长度，因此其共发射极电流放大系数小于1，并且没有电流增益能力。
另外，发射极 - 基极是N PP型或P NN型长二极管，即N PP型或P NN型磁敏二极管。因此，磁敏晶体管是基于磁敏二极管设计的长基晶体管。
磁敏晶体管是在磁敏二极管的基础上发展起来的。它的一端是集电极和发射极e（n（区），另一端是P（区域是基极b（图3 [磁敏三极管的结构]）。
磁场的作用增大或减小电流虽然电流放大系数小于1，但基极电流和电流放大系数都具有磁灵敏度，因此灵敏度远高于磁敏二极管。磁敏晶体管是一种新型的器件仍处于开发阶段，霍尔元件的应用磁阻元件和磁敏二极管可以用磁三极管代替。
磁电晶体管特别适用于某些需要高灵敏度的应用，如微引信，地震检测等。（1）伏安特性和普通晶体管伏安特性曲线相似。
从图中可以看出电流放大系数o f。磁敏三极管小于1.（2）磁电特性中宋磁敏三极管的磁电特性是应用的基础，右图为国产NPN型3BCM（锗）磁电在磁敏三极管的特性中，曲线在弱磁场的作用下接近直线。
（3）温度特性和补偿在本文中，Song磁敏三极管对温度敏感，使用时必须进行温度补偿。对于锗敏感三极管，如3ACM和3BCM，磁敏感温度系数为0.8％/ 0C;硅磁晶体管（3CCM）的磁灵敏度温度系数为-0.6％/ 0C。
因此，磁三极管在实际使用中必须进行温度补偿。该图显示了磁电晶体管的工作原理，图（a）显示了没有外部磁场时的情况。
该区域很长，并且从发射极e到i区域的电子与i区域中的空穴结合以形成基极电流，并且到收集器的一小部分电子形成集电极电流。显然，此时基极电流大于集电极电流。
图（b）显示了存在外部电场B +的情况。从发射极注入到i区的电子受到横向电场Ube的影响。
磁洛伦兹力用于使其朝向复合区的r方向偏转。结果，注入集电极的电子数与流入基极区的电子数之比发生变化，原始集电极的部分电子发生变化。
为了进入基极区，基极电流增大，并且集电极电流减小。根据磁敏二极管的工作原理，由于流基区域中的电子通过高复合区域r，载流子很大程度地重新组合，因此i区域中的载流子浓度大大降低，变成了高阻区。
高阻区域的存在降低了发射极结上的电压，这减少了注入i区域的电子数量并进一步降低了集电极电流。由于洛伦兹力的极端电流，该区域中的电子数量开始基本恒定。
图（c）示出了外部反向磁场的B动作的影响，然后减小，然后由于发射极结电压的下降而减小。结果是一个基本条件。
工作过程与添加正向电场B +，集电极电流增加，基极电流基本保持不变的情况完全相反。从上述磁敏管的工作过程可以看出，其工作原理与磁敏二极管的工作原理完全相同。
当没有外部磁场时，由于i区长，在横向电场的作用下，大部分发射极电流形成基极电流，一小部分形成集电极电流。在正向或反向磁场的作用下，它引起集电极电流的减小或增加。
因此，磁场的方向可以用于控制集电极电流的增加或减少，并且磁场的强度可以用于控制集电极电流的变化量。