有许多类型的DRAM。常用的是FPRAM / FastPage，EDORAM，SDRAM，DDR RAM，RDRAM，SGRAM和WRAM。这里描述了一个DDR RAM。 DDR RAM（日期速率RAM）也称为DDR SDRAM。这种改进的RAM与SDRAM基本相同。不同之处在于它可以在一个时钟内读取和写入两次数据，从而使数据传输速度加倍。 。这是计算机中使用最多的内存，它具有成本优势，实际上击败了英特尔的其他内存标准 - Rambus DRAM。在许多高端显卡上，高速DDR RAM也用于增加带宽，这可以大大提高3D加速卡的像素渲染能力。有许多类型的DRAM。常用的是FPRAM / FastPage，EDORAM，SDRAM，DDR RAM，RDRAM，SGRAM和WRAM。这里描述了一个DDR RAM。 DDR RAM（日期速率RAM）也称为DDR SDRAM。这种改进的RAM与SDRAM基本相同。不同之处在于它可以在一个时钟内读取和写入两次数据，从而使数据传输速度加倍。 。这是计算机中使用最多的内存，它具有成本优势，实际上击败了英特尔的其他内存标准 - Rambus DRAM。在许多高端显卡上，高速DDR RAM也用于增加带宽，这可以大大提高3D加速卡的像素渲染能力。英特尔的2188 DRAM芯片于1979年发布，采用16Kx1 DRAM 18线DIP封装。这是第一个出现的DRAM芯片。现在让我们解释它的含义：“16K x 1”意味着芯片可以存储16384位数据，同时它可以同时读取或写入1位。 DRAM地址引脚为7，SRAM地址引脚为14. 16K DRAM通过DRAM接口将地址分为两部分，然后使用两个连续的时钟周期传输地址数据。这节省了一半的引脚实现和与SRAM相同的功能。这种技术是多路复用的。可以做与16K SRAM相同的工作。 DRAM减少地址引脚的主要原因如下：1。相同容量的DRAM比SRAM小四倍。这将没有足够的空间来放置与SRAM相同数量的引脚。因此必须减少地址引脚。 2.虽然制造商可以增加DRAM的尺寸以增加引脚尺寸，但是为了降低成本和功耗，有必要减少地址引脚的数量。 3.大容量DRAM芯片通常使用多通道寻址技术。虽然这使DRAM芯片变得复杂并使DRAM接口更复杂，但由于DRAM的特性，它可以获得比相同容量SRAM更少的地址引脚。 DRAM可以存储充电的时间非常短，因此需要在充电消失之前刷新，直到下次写入数据或关闭计算机电源为止。每次读取和写入操作都会刷新DRAM中的电荷，因此DRAM被设计为定期读取其内容。刷新技术具有以下优点：1。只要使用/ RAS激活每一行，就可以进行所有刷新。 2.使用DRAM控制器控制刷新，以防止刷新操作干扰常规读写操作。 3.通常，DRAM行的数量小于列数，刷新的行越少，时间越短。过去，在通用嵌入式设计中，存储器部分主要使用SRAM。后来，由于计算机等电子数据设备的增长，设备内部使用的存储容量大大增加。此时，很难使用SRAM来实现大容量存储器。系统必须使用DRAM。 DRAM的每个位的存储电路由1个晶体管和1个电容器组成。每位SRAM需要46个晶体管。 DRAM的存储密度是SRAM的46倍。尽管DRAM在存储密度和电路成本方面优于SRAM，但DRAM也不如SRAM。 SRAM以连续供电模式存储数据，因此在操作中消耗大量功率，并且相对DRAM实现刷新方法。保持内存容量，虽然它更节能，但内存数据访问速度不如SRAM。另外，由于刷新电路，存取电路等的设计，系统接口的电路比SRAM复杂。 SRAM没有刷新电路，接口设计简单直观。因此，对于电子工程师来说，除非SRAM无法满足高容量，否则设计要求如低功耗，否则SRAM应尽可能实现，因为SRAM的电路设计比DRAM更简单，更容易。由于SRAM和DRAM具有许多完全不同的特性，因此应用范围多年不同。 SRAM用于小容量的高速接入应用，例如高速处理器缓存，高速网络设备（例如路由器）。 DRAM用于需要大量存储器的应用中，例如激光打印机和高清数字电视。然而，在手持式应用的设计中，同时需要DRAM和SRAM的特性，这需要SRAM的简单电路特性（因为印刷电路板面积小，线数可以减少），以及需要DRAM的低功耗（由电池操作）。此外，使用的芯片数量也约为一个或两个芯片，因此同时使用DRAM芯片和SRAM芯片并不容易。由于它只能逐个使用，真正的权衡结果是使用DRAM，但必须通过将刷新电路改为自刷新来简化DRAM访问接口，然后简化接口的兼容性和近似。原始SRAM的接口因此成为PSRAM，有时称为PSDRAM。 PSRAM标准有自己的技术阵营。 PSRAM的概念是改变DRAM的原始访问接口设计，使其接口与原始SRAM的访问接口兼容，并且在访问时序等其他特性方面类似。但是，这个概念还不够。所有参与者仍然组成联盟阵营，并建立自己的PSRAM规范和标准。