非晶硅电池是集成的平板光伏模块，其中非晶硅Pin结构沉积在玻璃基板上，并且单电池的结构如图2所示。
通常，为了获得更高的功率输出，将非晶硅太阳能电池制成以下集成结构，如图1所示。
图1单体结构图图2集成非晶硅电池结构图1.制造成本低。
这是因为：1半导体层的光吸收系数比晶体硅的光吸收系数大一个数量级，并且电池的厚度仅为约1μm，这是晶体硅电池的约1/300。
，这可以节省大量的硅材料。
2薄膜可以直接沉积而不会损失碎屑。
3集成技术可用于完成电池准备过程中的组装，过程简单。
4电池的pin结在约200℃的温度下制造，这远低于结晶硅电池的800至1000℃的高温，并且能量消耗小。
5电池的单芯片面积可达0.7至1.0平方米，易于组装，易于实现批量生产。
2.能源消耗的恢复期很短。
每平方米非晶硅电池的能耗仅为100kW·h左右，能量回收期仅为l~1.5a，远低于晶体硅。
3.更多的发电。
根据测试，在相同条件下，非晶硅电池的发电量比单晶硅电池高约8％，比多晶硅电池高约13％。
4.价格低。
目前，它比晶体硅电池的价格低约1/4至1/3。
首先，我们有一个想法：首先分析和列举通过非晶硅电池的主要光子损失，然后在每个点绘制相应的对策，以避免或减少损失。
1.能量损失过低和能量损失：能带低于带隙的光子和能带高于带隙的光子。
在晶体硅电池中，只有这两种损耗损失了超过60％的光能 - 相当大的数量;在非晶硅电池中，这个数字应该略有不同，但我相信它并不多，原因是一样的。
所以个人认为提高效率的主要焦点就在这里，寻找这两个方面的突破，这将是一次飞跃。
2.串联电阻分压器损耗和分流电阻分流损耗，而串联电阻主要是每个区域的电阻，包括电极和每个接口的接触电阻 - 越小越好，越好;分流电阻分流器主要是电池表面上的漏电流和PN结区域中杂质和缺陷引起的漏电流也可以简单地说是前后表面复合材料和结中心复合材料中心的复合损耗。
这种损失也有相对较大的比例。
3.反射损失4.光生载流子在将来也会通过PN结的分离而复合。
5.暗电流分流损耗。
对策和解决方案：1。
最常用的层结构是带隙不同的材料从上到下依次排列，从大到小，高能光子被相应的宽带隙层吸收，而且低 - 能量光子相应地，窄带隙层被吸收。
这拓宽了光谱响应的范围，理想情况是在整个紫外到红外光谱区域有效吸收。
另外，在这一点上，我有一个想法：在PIN结构中，P和N的两层作为“死层”存在，主要是为了提供电场的作用，并且它们区域中的载流子是几乎是光学电流。
它不起作用，那么我们可以使它们成为“活动层”吗？并有助于光电流？例如，P和N都使用微晶硅或纳米硅。
对于2.涉及以下几个方面：首先，降低包括电子在内的每个区域的体电阻，主要是半导体层的电阻，然后要求电阻率尽可能小。
根据半导体物理学，增加室温下的掺杂浓度（或用相同的掺杂降低工作温度可以降低电阻率。
（但是，如果掺杂太高，则会引起过掺杂效应，因此它是“适当的”）。
其次，为了降低界面处的接触电阻，有必要尽可能地减少晶格失配的问题，例如公司使用的a-SiC：H。
作为窗口层，它具有一定的晶格与下面的I层的a-Si：H不匹配。
可以想象使用氢化的纳米非晶硅作为窗口层，使用微晶硅或纳米硅作为P和N层。
再次，表面复合和结重组尽可能减少。
一般的方法是H表面钝化和内部悬空键的H饱和，并可能减少O和N等杂质，以减少重组中心。
此时，我的个人ID ea是用微波电子回旋共振代替目前广泛使用的PECVD--两个明显的优点：第一，前者是无电极放电，从而避免了后者电极引入的杂质。
第二，高放电功率，可以最大化H气体的离解，也大大减少H气体引入的一些缺陷态，从而在一定程度上抑制S-W效应。
3.电池上表面的诱捕结构+防反射膜制成绒面;后反射层添加在电池的背面。
4.在多层的基础上适当地减薄I层的厚度以增强电场强度，从而增强载流子。
吸收是5.暗电流是“正向电流”。
由光生电压引出到外部电路引起的。
如何减少这一点是不明白的。
