优点是当BJT进入饱和状态时，其集电极结电压Vbc被钳位在SBD的导通电压（≈0.45V）上，从而阻止BJT进入深度饱和状态并减少多余的少数存储收费。
，可以减少BJT开关过程中的存储时间（可以缩短一个数量级），从而大大减少集成电路中的信号传输延迟时间（延迟时间可以减少到2~4ns，延迟时间的乘积并且功耗大约可以减半），结果可以提高集成电路的速度。
SCT是制造高速数字集成电路的基本设备。
对于TTL中的npn-BJT，使用SCT代替，可以更好地解决开关速度和基极电流Ib尺寸要求之间的矛盾（快速传导要求Ib很大，即基区电荷存储是关闭需要Ib很小，即电荷存储量较少。
1）当Vbc＆amp; lt; 0（即，SCT处于前向放大状态或截止状态），可以反转SBD并且可以忽略其影响。
2）当Vbc＆amp; gt; 0（即，SCT处于反向放大状态或饱和状态）：1如果Vbc低于SBD的导通电压，则SBD不会分流晶体管的Ib; 2如果Vbc高于SBD绕过电压，SBD将分流晶体管的Ib，并且Vbc被钳位在0.45V，这阻止BJT进入深度饱和，这可以提高其工作速度。
当传输延迟时间和功耗的乘积恒定时，SCT可用于设计两个TTL电路：a）保持功耗恒定，减少传输延迟时间 - 高速TTL（STTL）; b）保持传输延迟时间变化，降低功耗 - 中速低功率TTL（LSTTL）。
1 SBD接入增加了BJT的饱和压降; 2增加了BJT的反向漏电流; 3增加了工艺要求（对Si的表面处理和金属化的高要求，以及可重复性和可靠性）差）。
