晶体管8550

集电极电压Vcbo：-40V工作温度：-55°C至+ 150°C晶体管8550和8050（NPN）相对主要用途：开关应用RF放大8550三级管参数：类型：开关型;极性：PNP材料：硅;最大集电极电流（A）：0.5 A;直流增益：10到60;功耗：625 mW;最大集电极发射电压（VCEO）：25;频率：150 MHz PE8550硅NPN 30V 1.5A 1.1 W 3DG8550硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K 2SC8550硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K MC8550硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8550硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K 8050S 8550S S8050 S8550参数：功耗0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极 - 基极电压40V集电极 - 发射极击穿电压25V特征频率fT最小值150MHZ制造商目录的典型值不是由三极管给出的后缀分为BCD文件补丁LH文件放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极 - 基极电压40V集电极 - - 发射极击穿电压25V特征频率fT最小100MHZ典型190MHZ倍数：根据三极管B的后缀分为BCD文件：85-160 C：120-200 D：160-300 8050SS 8550SS参数：耗散功率：1W（TA = 25°C）2W（TC = 25°C）设置电极电流1.5A Collec tor - 基准电压40V集电极 - 发射极击穿电压25V特征频率fT最小100MHZ放大倍数：分为三极管后缀数BCD D3共4档放大倍数B：85-160℃：120-200 D：160-300 D3：300- 400引脚排列与EBC ECB两个SS8050 SS8550参数：耗散功率：1W（TA = 25°C）2W（TC = 25°C）集电极电流1.5A集电极 - 基极电压40V集电极 - 发射极击穿电压25V特征频率fT最小值100MHZ放大倍数：分为三极管后缀数BCD共3个文件放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300针排列大多是EBC UTC S8050 S8550引脚排列与EBC 8050S 8550S引脚排列与ECB此管很少看到参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极 - 基极电压30V集电极 - 发射极击穿电压20V特征频率fT最小100MHZ典型生产商目录不放大：按三管CDE后缀号进入文件C：120-200 D：160-300 E：280-400

8550晶体管晶体管8550是普通普通晶体管的引脚图。它是一种低电压，高电流，小信号PNP型硅三极管。
8550晶体管（TO-92封装）引脚图1，发射极2，基极3，集电极。