STMicroelectronics推出全球首个用于驱动器芯片和GaN晶体管的集成解决方案

意法半导体（ST）最近推出了世界上第一个MasterGaN＆reg;。产品平台嵌入了硅基半桥驱动器芯片和一对氮化镓（GaN）晶体管。
它适用于轻型和节能型消费电子产品，工业充电器和400W以下的电源适配器。换句话说，意法半导体（STMicroelectronics）提出的集成解决方案将有助于加快开发速度。
GaN技术使电子设备可以处理更多的功率，而设备本身却变得更小，更轻，更节能。这些改进将改变智能手机，PC和游戏机USB-PD紧凑型适配器以及工业应用（如太阳能存储系统，不间断电源或高端OLED电视和云服务器）中使用的超快速充电器和无线充电器。
在当今的GaN市场中，通常使用分立功率晶体管和驱动器IC解决方案，这要求设计人员学习如何使它们协同工作以实现最佳性能。 ST的MasterGaN解决方案绕过了这一挑战，缩短了上市时间，并达到了预期的性能，同时使封装更小，更简单，电路元件更少，系统可靠性更高。
依靠GaN技术和意法半导体的优势与普通的基于硅的解决方案相比，使用新产品的集成产品，充电器和适配器的尺寸减小了80％，重量减小了70％。意法半导体公司执行副总裁兼模拟产品事业部总经理Matteo Lo Presti表示：“意法半导体独特的MasterGaN产品平台基于我们经过市场检验的专业知识和设计能力，结合了高压智能功率BCD技术和GaN技术。
它可以加速开发节省空间，节能和环保的产品。 “ MasterGaN1是意法半导体新产品平台的第一款产品，集成了两个半桥配置的GaN功率晶体管以及高端和低端驱动器芯片。
MasterGaN1现在采用9mm x 9mm GQFN封装进行量产，厚度仅为1mm。意法半导体还提供产品评估板，以帮助客户快速启动电源产品项目。
技术细节：MasterGaN平台借鉴了意法半导体（STMicroelectronics）和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的STDRIVE 600V栅极驱动芯片。 9mm x 9mm GQFN薄型封装可确保高功率密度，专为高压应用而设计。
高低压焊盘之间的爬电距离大于2mm。该产品系列具有各种具有不同RDS（ON）的GaN晶体管，并以引脚兼容的半桥产品的形式提供，方便工程师成功地升级现有系统并尽可能少地改变硬件。
在高端节能拓扑中，例如，带源钳位的反激式或正激式转换器，谐振转换器，无桥图腾柱PFC（功率因数校正器），以及AC / DC和DC /其他软开关和硬开关拓扑用于DC转换器和DC / AC逆变器。 GaN晶体管的低传导损耗和无体二极管恢复特性使该产品能够提供出色的能源效率和更高的整体性能。
。 MasterGaN1具有两个常闭晶体管，它们的时序参数精确匹配，最大额定电流为10A，导通电阻（RDS（ON））为150mΩ。
逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，还具有全面的保护功能，包括高侧和低侧UVLO欠压保护，互锁功能，停机专用引脚和过热保护。