在原始PC原料中添加二硫化钼可以满足导热和散热的要求。随着半导体工艺向3纳米发展，如何克服晶体管缩放的物理限制已成为半导体工业发展的关键技术。仅具有原子厚度的二维材料（例如石墨烯和MoS2）被认为具有替代传统半导体材料（例如硅）的潜力。由于其独特的单层原子结构和出色的光电性能，二硫化钼（MoS2）被认为是最有前途的硅替代品，它将成为半导体等高精度技术领域未来应用的理想材料之一，晶体管和芯片。因此，近年来，科学家对二硫化钼的研究一直保持着浓厚的兴趣。最近，EPFL研究小组使用二硫化钼开发了一种新型的“脑样神经元传递”技术。计算机芯片，具有在同一电路中处理和存储信息的能力，并实现了计算机设备的小型化。它为优化，高效和节能提供了新思路。二硫化钼是一种过渡金属硫属元素二维材料（TMDC）。它具有类似于石墨烯的层状结构，并具有石墨烯所不具有的直接带隙半导体的特性。二硫化钼由堆叠的三个原子平面层（S-Mo-S）组成。它具有比表面积大，电子迁移率高，抗磁和抗辐射，能耗低，环保，节能高效，稳定性高的特点。并能实现大规模生产，是光学和电子设备的理想材料。钴/二硫化钼异质结构的特征分析表明，在室温下，异质结构之间的相互作用仍可引起“自发磁各向异性”。它在非晶态磁性材料的结晶相中很常见。 “这为磁各向异性的起源和操纵开辟了新的视野。磁各向异性是指磁性材料的磁化方向易于在特定方向上对齐的特性，可用于在数字记录中定义0和1。如何使用新材料或人工结构的制备物来发现新的磁各向异性并控制其方向，是磁存储和磁感应技术（包括磁阻随机存取存储器（MRAM），移动电话电子设备）和罗盘和磁感应技术发展的重要关键。陀螺仪利用电子自旋的特性。与传统的电子组件相比，自旋电子组件可以提供更高的能效和更低的功耗，并且也有望成为下一代的主流组件。 EPFL研究人员首次成功地将二维材料二硫化钼应用于集成了数据存储和逻辑运算的芯片。这将颠覆中央处理器（CPU）处理数据的传统计算机模型，然后将其传输到硬盘进行存储。相关结果发表在“自然”上。据报道，新芯片基于浮栅场效应晶体管（FGFET），通常用于相机，手机或计算机设备的闪存系统中。这些晶体管可以长时间保持电荷，厚度仅为三原子层的二硫化钼不仅可以进一步减小电子设备的体积，而且对存储在晶体管中的电荷具有很强的敏感性，因此逻辑运算可以同时实现和数据存储功能。 Chinatungsten Online的二硫化钼不仅在半导体和纳米晶体管等光学和电子领域具有巨大的应用潜力，而且可以用作润滑剂，抗氧化剂，催化剂等，并广泛用于航空，汽车，采矿，造船，轴承等工业领域。轨道杂交是磁各向异性的另一个原因，它是深入探索这种现象的关键机理，并进一步研究操纵自旋电子学方向的新方法。半导体行业和光电子行业有机会。来突破性发展。