对于长期陷入困境的MRAM行业来说，自旋注入方法可以说是一种可以逆转危机的创新技术。
MRAM蓬勃发展。
但是从那以后，MRAM在过程开发和大容量方面一直没有取得预期的进展。
在目前的量产产品中，MRAM的制造工艺仅达到180nm，最大容量仅为4Mb，其应用仅限于特定领域，例如替换需要电池的SRAM。
相反，自旋注入MRAM可支持更高级的制造工艺，并且易于扩展容量。
因此，它有可能改变上述情况并赢得巨大的市场。
现有的MRAM之所以在制造过程和大容量方面遇到困难，是因为它使用了一种称为磁场写入方法的工作原理（见图1a）。
磁场写入方法是指使用由位线电流和写入字线电流产生的组合磁场来反转TMR元件的自由层的磁化强度。
使用这种方法时，磁化反转所需的写入电流与磁性材料的体积成反比。
因此，当使用更高级的处理时，写入电流将增加。
为了支持大电流的流动，必须使用具有大驱动能力的晶体管，导致存储单元面积的增加。
此外，向MRAM写入磁场还需要额外的布线，例如写入字线。
因此，存储单元区域的理论值是12F2，是DRAM的1.5到2倍。
自旋注入方法可以避免这些缺点。
在自旋注入方法中，写入数据时不使用磁场，但是电流直接流入TMR元件，因此TMR元件的自由层的磁化方向相反（请参见图1b）。
制造工艺越先进，磁化反转所需的阈值电流就越小。
并且由于不再需要写入字线，因此存储单元区域的理论值可以达到6F2〜8F2，相当于DRAM。
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